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设计实例

  • 从电源到开关管,完整跟踪一个能量收集设计。
  • 估算无损电阻从幅值按缓慢包络(envelope)变化的电源取得的平均功率。
  • 在包络峰值处检查设计:是否处于 DCM,以及开关管电压。

本例的电源是线性的:开路电压串联一个大的源内阻,其幅值沿缓慢的包络起伏,包络是同一个正弦半波的不断重复。在每一时刻,它最多能给出线性源的最大功率,该量随包络的平方变化。

设计成与源内阻相等的无损电阻(无损电阻的励磁电感)、固定占空比且工作在 DCM 的反激变换器,把输入保持在电源电压的一半,并在每一时刻都取得全部可用功率(无损电阻的功率提取比),前提是满足两个条件。它在包络峰值处,即母线电压最高处,也必须保持在 DCM(临界输入电压)。此外,包络相对于母线自身的时间常数(time constant),即母线电容乘以源内阻与输入电阻的并联值,必须足够缓慢,使母线电压能跟随包络 [Alexander & Sadiku 2017, Ch. 7 (First-Order Circuits)]。

在整个包络上取平均,功率为其峰值处数值的一半,因为正弦平方的平均值是其峰值平方的一半 [Alexander & Sadiku 2017, Ch. 11]:

Pˉ=ηextV^oc28Rs\bar{P} = \frac{\eta_\mathrm{ext} \hat{V}_\mathrm{oc}^{2}}{8 R_s}
Pˉ\bar{P}
包络周期内的平均功率
RsR_s
源内阻(source resistance)
V^oc\hat{V}_\mathrm{oc}
开路电压峰值
ηext\eta_\mathrm{ext}
可用功率中被提取的比例
无损电阻从开路电压按正弦包络变化的源获取的平均功率✓ 经 8 项测试验证
假设、约定与出处
假设
  • 内阻为 R_s 的线性(戴维南)源 V_oc
  • 包络相对母线时间常数变化缓慢,且变换器始终表现为无损电阻(DCM)
备注
功率 ηextVoc2/(4Rs)\eta_\mathrm{ext} V_\mathrm{oc}^2/(4 R_s) 随包络的平方变化,而正弦(或整流正弦)平方的平均值是其峰值平方的一半
出处
Alexander & Sadiku 2017, Sec. 4.8 (Maximum Power Transfer) and Ch. 11 (AC Power Analysis); derived here
推导
sympy 逐步推导
公式 id
lfr.P_env · equations.yaml 条目

源匹配工具逐个开关周期地仿真这样的包络,并显示:在峰值会使反激变换器进入 CCM 的地方,母线电压被保持在临界电压。

反激变换器开关工作期间,包络峰值决定其开关管阻断的最高电压:母线电压加上反射的输出电压(开关管电压),其上再叠加漏感尖峰(缓冲电路与钳位电路)。按平均值或包络起始处选定额定值的开关管,会在峰值处损坏。在它不开关时,即启动时、欠压锁定(undervoltage lockout)期间或故障之后,母线上没有负载,会充电到电源开路电压的峰值,随后开关动作就从该电压开始:除非有钳位电路把母线电压限制得更低,否则母线电容必须承受该峰值,开关管必须承受该峰值加上反射的输出电压。

本例在包络峰值处和平均意义下的情况:

能量收集源示例
符号数值求法
V^oc\hat{V}_\mathrm{oc} 开路电压峰值1 kV已知
RsR_s 源内阻(source resistance)1 MΩ已知
TenvT_\mathrm{env} 包络半波时长10 s已知
fsf_s 开关频率1 kHz已知
DD 占空比(duty ratio)0.05已知
VV 输出电压5 V已知
VDV_D 输出二极管正向压降(forward drop)500 mV已知
nn 匝比(turns ratio),二次/一次0.1已知
PmaxP_\mathrm{max} 最大可用功率250 mW线性源的最大功率
LML_M 励磁电感(magnetizing inductance),折算到一次侧1.25 H呈现给定输入电阻的 DCM 反激变换器的励磁电感
RinR_\mathrm{in} 等效输入电阻(emulated resistance)1 MΩDCM 升降压或反激变换器的输入电阻(无损电阻)
VgV_g 输入电压500 V由线性源供电的无损电阻的母线电压
ηext\eta_\mathrm{ext} 可用功率中被提取的比例1无损电阻的功率提取比
Pˉ\bar{P} 包络周期内的平均功率125 mW无损电阻从开路电压按正弦包络变化的源获取的平均功率
Vg,critV_{g,\mathrm{crit}} CCM/DCM 临界处的输入电压1.04 kV反激变换器:CCM/DCM 临界处的输入电压(固定 D,固定输出)
VDSV_\mathrm{DS} 开关管关断时的电压555 V反激变换器开关管关断时的电压(不含漏感尖峰)

工作模式:包络峰值处为 DCM:全程为无损电阻(Vg<Vg,critV_g < V_{g,\mathrm{crit}}:成立)

电源串联 1 MΩ,沿由每段持续 10 s 的正弦半波构成的包络升至 1 kV;在峰值处它可给出 250 mW。在 1 kHz 和 0.05 下,1.25 H 的励磁电感(magnetizing inductance)呈现 1 MΩ 的电阻,因此反激变换器在每一时刻都取得全部可用功率:平均为 125 mW。在峰值处,母线电压达到 500 V,低于 1.045 kV 的临界电压,开关管在漏感尖峰之前阻断 555 V。

▶ 在公式浏览器中打开:无损电阻从开路电压按正弦包络变化的源获取的平均功率
预设取自例题 harvesting-source

扫描包络峰值:平均功率随其平方变化。

▶ 在公式浏览器中打开:无损电阻的功率提取比
预设取自例题 harvesting-source

在源内阻附近扫描反激变换器的输入电阻:在两倍范围以内,取得的比例始终接近全部。

不要在开放的实验台上按全电压搭建本例。应将其按比例缩小:把电源电压除以某个系数,电阻保持不变,于是母线电压也除以该系数,功率除以该系数的平方;输出电压及其经变压器的反射电压保持不变。用一台按包络逐级改变输出的可编程电源,串联一个等于源内阻的电阻,来模拟电源;负载则用以固定占空比工作的反激变换器。记录每一步的输入电压和输入电流,计算功率,并将其在包络上的平均值与按比例缩放后的公式结果比较。

  • 空载的母线会充电到开路电压。串联大电阻时,电源电流很小,但并接在电源两端的电容仍会充到全部电压并保持住:应按该电压选择母线和开关管的额定值,或对母线加钳位。
  • 平均值要求包络缓慢变化。若包络的变化与母线时间常数相当,母线电压就跟不上包络,无损电阻取得的比例也不再在每一时刻成立。
  • 在峰值处而不是平均值处检查 DCM(临界输入电压)。
  • 开关管的额定值要按峰值选择,还要考虑空载的母线(开关管电压)。
  1. 一个电源串联 1 Mohm,其开路电压升到 500 V。它在峰值处最多能给出多少功率?

    1. 62.5 mW
    2. 125 mW
    3. 250 mW
    4. 31.3 mW
    答案与解析

    正确答案:A 500 V 的平方除以 1e6 ohm 的四倍:250000 除以 4e6,即 62.5 mW。

  2. 一个匹配的无损电阻在一个缓慢的正弦包络上始终保持 DCM,该包络的峰值即上题中的峰值。它取得的平均功率是多少?

    1. 62.5 mW
    2. 31.3 mW
    3. 15.6 mW
    4. 44.2 mW
    答案与解析

    正确答案:B 功率随包络的平方变化,而正弦平方的平均值是其峰值平方的一半:即 62.5 mW 的一半。

  3. 一个反激变换器工作在 2 kHz、占空比 0.05,须呈现 1 Mohm。它需要多大的励磁电感?

    1. 1.25 H
    2. 2.5 H
    3. 0.625 H
    4. 6.25 H
    答案与解析

    正确答案:C 电阻乘以占空比的平方,再除以开关频率的两倍:1e6 乘以 0.0025 除以 4000。

  4. 对于幅值按包络变化的电源,应在何处检查 DCM?

    1. 包络的平均值处
    2. 包络的起始处
    3. 任何地方:DCM 与电源无关
    4. 包络峰值处,此时母线电压最高
    答案与解析

    正确答案:D 临界输入电压是固定的;母线电压在峰值处最高,CCM 会首先在那里接管。

  5. 母线电容为 1 uF,源内阻和反激变换器的输入电阻均为 1 Mohm。母线的时间常数是多少?

    1. 0.5 s
    2. 1 s
    3. 2 s
    4. 0.25 s
    答案与解析

    正确答案:A 电容乘以两个电阻的并联值:1e-6 乘以 0.5e6 ohm。

  6. 反激变换器停止开关,母线上也没有其他负载。电源开路电压为 1 kV、串联 1 Mohm 时,母线电压稳定在何处?

    1. 零:1 Mohm 几乎不让电流通过
    2. 开路电压的一半
    3. 全部开路电压,即 1 kV
    4. 临界输入电压
    答案与解析

    正确答案:C 没有负载时,没有电流流过,源内阻上也没有压降:电容充到全部开路电压,并保持住。

本站例题、预设和练习中的数值均为合成值:为教学而凑整的数值,并非来自任何实际设计的数据。