易错点
每个易错点（gotcha）占一页，采用同一模板：描述它在实验台上或设计中最先表现出来的现象，解释它发生的原因，说明如何确认原因正是这一个、而不是现象相同的另一个，给出解决方法，并列出支撑每一论断的参考资料。各页按标签归类。
- 随测试频率增大的电感
匝数多的绕组在 LCR 测试仪上读数偏高，测试频率越高，读数越高，原因是绕组自身的电容使其自谐振频率接近测试频率。 - 读数随表笔放置方式而变的低电阻
用两线法测量绕组或分流电阻的电阻时，读数包含表笔及其接触点；四线法可将它们排除在外。 - 加电压后电容量下降的陶瓷电容
2 类陶瓷电容（X7R、X5R）在工作直流电压和工作温度下可能只剩标称电容量的一部分，而其代码并不表明会剩下多少。 - 按击穿电压评估的 TVS
在其实际钳位的电流下，TVS 维持的电压高于其击穿电压，而它所保护的开关管承受的正是这一电压。 - 未到满量程就削波的电流输出型监控器
增大电流输出型监控器的输出电阻，提高的是其增益，而不是其输出所能达到的最高电压。 - 读数按固定比例偏高的小阻值分流电阻
没有开尔文连接时，小阻值分流电阻检测路径中的焊盘和焊点会增加其电阻，形成增益误差。 - 过早关断负载的电源门控定时器
门控负载电源的毫微功耗定时器，需要把模式引脚接到电源轨，并会把 DONE 输入上很短的脉冲当作关断负载的信号。 - 移除负载的开环反激变换器
既无稳压又无负载时，反激变换器的输出会一直充电，直到其电压反射到一次侧后达到一次侧钳位电路的电压；此后钳位电路吸收全部输入功率。 - 低温下的电解电容
铝电解电容的 ESR 在低温下急剧升高，其两端的纹波也随之增大。 - 驱动不足、驱动过度或根本没有驱动的栅极
MOSFET 只有在按其设计所用的栅极电压驱动时才完全导通；eGaN FET 的最大栅极电压较低，而振铃会叠加在驱动电压上；没有任何驱动的栅极可能使开关管导通。 - 锁定电源电压的固定占空比反激变换器
由限流电源供电时，固定占空比的反激变换器只在 DCM 下呈现为电阻；一旦其输入达到临界电压，CCM 就把输入保持在该电压上。 - 低于分流电阻两端万用表读数的电流读数
电流检测链在脉冲电流的峰值处削波时，其读数的平均值会低于真实平均值，而分流电阻两端的 DMM 仍读出真实平均值。 - 漏掉脉冲的 10 倍开关频率采样
以 10 倍开关频率对脉冲电流采样的 ADC 仍会读错其平均值：脉冲的谐波发生混叠，而位于采样率整数倍处的谐波折叠到直流，即平均值本身。
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